Bipolartransistor 2SA1357-O

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1357-O

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -20 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -35 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -8 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -5 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 170 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126F

Pinbelegung des 2SA1357-O

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA1357-O kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1357 liegt im Bereich von 100 bis 320, die des 2SA1357-Y im Bereich von 160 bis 320.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1357-O-Transistor könnte nur mit "A1357-O" gekennzeichnet sein.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1357-O

Sie können den Transistor 2SA1357-O durch einen 2SA1120, 2SB1127, 2SB1127-R, 2SB1140 oder 2SB1140-R ersetzen.
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