Bipolartransistor 2SB1140

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1140

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -20 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -25 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -5 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 320 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +125 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SB1140

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB1140 kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1140-R liegt im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB1140-S im Bereich von 140 bis 280, die des 2SB1140-T im Bereich von 200 bis 400.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1140-Transistor könnte nur mit "B1140" gekennzeichnet sein.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB1140

Sie können den Transistor 2SB1140 durch einen 2SB1127 ersetzen.
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