Bipolartransistor 2SB1140
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1140
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -20 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -25 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -5 A
- Verlustleistung, max: 10 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 400
- Übergangsfrequenz, min: 320 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +125 °C
- Gehäuse: TO-126
Pinbelegung des 2SB1140
Klassifizierung von hFE
Kennzeichnung
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB1140
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