Transistor bipolar 2SB1140-R

Características del transistor 2SB1140-R

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -20 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -25 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 10 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 100 a 200
  • Frecuencia máxima de trabajo: 320 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +125 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del 2SB1140-R

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB1140-R puede tener una ganancia de corriente de 100 a 200. La ganancia del 2SB1140 estará en el rango de 100 a 400, para el 2SB1140-S estará en el rango de 140 a 280, para el 2SB1140-T estará en el rango de 200 a 400.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB1140-R puede estar marcado sólo como "B1140-R".

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB1140-R

Puede sustituir el 2SB1140-R por el 2SA1120, 2SA1357, 2SA1357-O, 2SB1127 o 2SB1127-R.
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