Bipolartransistor 2SB1140-T

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1140-T

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -20 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -25 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -5 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 320 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +125 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SB1140-T

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB1140-T kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1140 liegt im Bereich von 100 bis 400, die des 2SB1140-R im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB1140-S im Bereich von 140 bis 280.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1140-T-Transistor könnte nur mit "B1140-T" gekennzeichnet sein.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB1140-T

Sie können den Transistor 2SB1140-T durch einen 2SA2196, 2SA2197, 2SB1127 oder 2SB1127-T ersetzen.
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