Transistor bipolaire 2SB1140-R
Caractéristiques électriques du transistor 2SB1140-R
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -20 V
- Tension collecteur-base maximum: -25 V
- Tension émetteur-base maximum: -5 V
- Courant collecteur continu maximum: -5 A
- Dissipation de puissance maximum: 10 W
- Gain de courant (hfe): 100 à 200
- Fréquence de transition minimum: 320 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +125 °C
- Boîtier: TO-126
Brochage du 2SB1140-R
Classification de hFE
Marquage
Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1140-R
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com