Transistor bipolaire 2SB1140

Caractéristiques électriques du transistor 2SB1140

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -20 V
  • Tension collecteur-base maximum: -25 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 10 W
  • Gain de courant (hfe): 100 à 400
  • Fréquence de transition minimum: 320 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +125 °C
  • Boîtier: TO-126

Brochage du 2SB1140

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB1140 peut avoir un gain en courant continu de 100 à 400. Le gain en courant continu du 2SB1140-R est compris entre 100 à 200, celui du 2SB1140-S entre 140 à 280, celui du 2SB1140-T entre 200 à 400.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1140 peut n'être marqué que B1140.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1140

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1140 par 2SB1127.
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