Bipolartransistor KTD863-O

Elektrische Eigenschaften des Transistors KTD863-O

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
  • Verlustleistung, max: 1 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 120
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -45 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92MOD
  • Electrically Similar to the Popular 2SD863-D transistor

Pinbelegung des KTD863-O

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KTD863-O kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTD863 liegt im Bereich von 60 bis 320, die des KTD863-GR im Bereich von 160 bis 320, die des KTD863-Y im Bereich von 100 bis 200.

SMD-Version des Transistors KTD863-O

Der 2SC3444 (SOT-89), 2SC3444-C (SOT-89), BCP55 (SOT-223), BSR40 (SOT-89), FMMTA05 (SOT-23) und KST05 (SOT-23) ist die SMD-Version des KTD863-O-Transistors.

Transistor KTD863-O im TO-92-Gehäuse

Der 2SD863-D ist die TO-92-Version des KTD863-O.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KTD863-O

Sie können den Transistor KTD863-O durch einen 2SC3243, 2SD667, 2SD667A, 2SD667AB, 2SD667B, 2SD863 oder 2SD863-D ersetzen.
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