Bipolartransistor 2SD863-D

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD863-D

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
  • Verlustleistung, max: 0.9 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 120
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -45 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92MOD

Pinbelegung des 2SD863-D

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD863-D kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD863 liegt im Bereich von 60 bis 320, die des 2SD863-E im Bereich von 100 bis 200, die des 2SD863-F im Bereich von 160 bis 320.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD863-D-Transistor könnte nur mit "D863-D" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD863-D ist der 2SB764-D.

SMD-Version des Transistors 2SD863-D

Der 2SC3444 (SOT-89), 2SC3444-C (SOT-89), BCP55 (SOT-223), BSR40 (SOT-89), FMMTA05 (SOT-23) und KST05 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SD863-D-Transistors.

Transistor 2SD863-D im TO-92-Gehäuse

Der KTD863-O ist die TO-92-Version des 2SD863-D.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD863-D

Sie können den Transistor 2SD863-D durch einen 2SC3243, 2SD667, 2SD667A, 2SD667AB, 2SD667B, KTD863 oder KTD863-O ersetzen.
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