Transistor bipolaire KTD863-O

Caractéristiques électriques du transistor KTD863-O

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 50 V
  • Tension collecteur-base maximum: 60 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 1 W
  • Gain de courant (hfe): 60 à 120
  • Fréquence de transition minimum: 150 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -45 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92MOD
  • Electrically Similar to the Popular 2SD863-D transistor

Brochage du KTD863-O

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KTD863-O peut avoir un gain en courant continu de 60 à 120. Le gain en courant continu du KTD863 est compris entre 60 à 320, celui du KTD863-GR entre 160 à 320, celui du KTD863-Y entre 100 à 200.

Version SMD du transistor KTD863-O

Le 2SC3444 (SOT-89), 2SC3444-C (SOT-89), BCP55 (SOT-223), BSR40 (SOT-89), FMMTA05 (SOT-23) et KST05 (SOT-23) est la version SMD du transistor KTD863-O.

Transistor KTD863-O en boîtier TO-92

Le 2SD863-D est la version TO-92 du KTD863-O.

Substituts et équivalents pour le transistor KTD863-O

Vous pouvez remplacer le transistor KTD863-O par 2SC3243, 2SD667, 2SD667A, 2SD667AB, 2SD667B, 2SD863 ou 2SD863-D.
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