Bipolartransistor 2SD1895

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1895

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 140 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 160 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
  • Verlustleistung, max: 100 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 5000 bis 30000
  • Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3PF

Pinbelegung des 2SD1895

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD1895 kann eine Gleichstromverstärkung von 5000 bis 30000 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1895-P liegt im Bereich von 5000 bis 15000, die des 2SD1895-Q im Bereich von 8000 bis 30000.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1895-Transistor könnte nur mit "D1895" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1895 ist der 2SB1255.
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