Bipolartransistor 2SD1895-Q
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1895-Q
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 140 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 160 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
- Verlustleistung, max: 100 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 8000 bis 30000
- Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-3PF
Pinbelegung des 2SD1895-Q
Klassifizierung von hFE
Kennzeichnung
Komplementärer PNP-Transistor
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