Bipolartransistor 2SB1255
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1255
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -140 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -8 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -15 A
- Verlustleistung, max: 100 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 5000 bis 30000
- Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-3PF
Pinbelegung des 2SB1255
Klassifizierung von hFE
Kennzeichnung
Komplementärer NPN-Transistor
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