Transistor bipolaire 2SB1255

Caractéristiques électriques du transistor 2SB1255

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -140 V
  • Tension collecteur-base maximum: -160 V
  • Tension émetteur-base maximum: -8 V
  • Courant collecteur continu maximum: -15 A
  • Dissipation de puissance maximum: 100 W
  • Gain de courant (hfe): 5000 à 30000
  • Fréquence de transition minimum: 20 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3PF

Brochage du 2SB1255

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB1255 peut avoir un gain en courant continu de 5000 à 30000. Le gain en courant continu du 2SB1255-P est compris entre 5000 à 15000, celui du 2SB1255-Q entre 8000 à 30000.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1255 peut n'être marqué que B1255.

Complémentaire du transistor 2SB1255

Le transistor NPN complémentaire du 2SB1255 est le 2SD1895.
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