Transistor bipolaire MJE223

Caractéristiques électriques du transistor MJE223

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
  • Tension collecteur-base maximum: 80 V
  • Tension émetteur-base maximum: 7 V
  • Courant collecteur continu maximum: 4 A
  • Dissipation de puissance maximum: 15 W
  • Gain de courant (hfe): 40 à 200
  • Fréquence de transition minimum: 10 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126

Brochage du MJE223

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor MJE223

Le transistor PNP complémentaire du MJE223 est le MJE233.

Substituts et équivalents pour le transistor MJE223

Vous pouvez remplacer le transistor MJE223 par BD189, BD787, BD787G, BD789, BD791, MJE225, MJE240, MJE242 ou MJE244.
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