Transistor bipolaire KTD863

Caractéristiques électriques du transistor KTD863

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 50 V
  • Tension collecteur-base maximum: 60 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 1 W
  • Gain de courant (hfe): 60 à 320
  • Fréquence de transition minimum: 150 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -45 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92MOD
  • Electrically Similar to the Popular 2SD863 transistor

Brochage du KTD863

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KTD863 peut avoir un gain en courant continu de 60 à 320. Le gain en courant continu du KTD863-GR est compris entre 160 à 320, celui du KTD863-O entre 60 à 120, celui du KTD863-Y entre 100 à 200.

Complémentaire du transistor KTD863

Le transistor PNP complémentaire du KTD863 est le KTB764.

Version SMD du transistor KTD863

Le 2SC3444 (SOT-89), FMMTA05 (SOT-23) et KST05 (SOT-23) est la version SMD du transistor KTD863.

Transistor KTD863 en boîtier TO-92

Le 2SD863 est la version TO-92 du KTD863.

Substituts et équivalents pour le transistor KTD863

Vous pouvez remplacer le transistor KTD863 par 2SD667 ou 2SD863.
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