Transistor bipolar KTD863

Características del transistor KTD863

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 50 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 1 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 1 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 60 a 320
  • Frecuencia máxima de trabajo: 150 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -45 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-92MOD
  • Electrically Similar to the Popular 2SD863 transistor

Diagrama de pines del KTD863

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor KTD863 puede tener una ganancia de corriente de 60 a 320. La ganancia del KTD863-GR estará en el rango de 160 a 320, para el KTD863-O estará en el rango de 60 a 120, para el KTD863-Y estará en el rango de 100 a 200.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del KTD863 es el KTB764.

Versión SMD del transistor KTD863

El 2SC3444 (SOT-89), FMMTA05 (SOT-23) y KST05 (SOT-23) es la versión SMD del transistor KTD863.

Transistor KTD863 en envase TO-92

El 2SD863 es la versión TO-92 del KTD863.

Sustitución y equivalentes para el transistor KTD863

Puede sustituir el KTD863 por el 2SD667 o 2SD863.
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