Transistor bipolaire KSD1616-L

Caractéristiques électriques du transistor KSD1616-L

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 50 V
  • Tension collecteur-base maximum: 60 V
  • Tension émetteur-base maximum: 6 V
  • Courant collecteur continu maximum: 1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.75 W
  • Gain de courant (hfe): 300 à 600
  • Fréquence de transition minimum: 160 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92
  • Electrically Similar to the Popular 2SD1616-U transistor

Brochage du KSD1616-L

Le KSD1616-L est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KSD1616-L peut avoir un gain en courant continu de 300 à 600. Le gain en courant continu du KSD1616 est compris entre 135 à 600, celui du KSD1616-G entre 200 à 400, celui du KSD1616-Y entre 135 à 270.

Complémentaire du transistor KSD1616-L

Le transistor PNP complémentaire du KSD1616-L est le KSB1116-L.

Version SMD du transistor KSD1616-L

Le 2SD1615 (SOT-89), 2SD1615-GK (SOT-89), 2SD1622 (SOT-89), 2SD1622-U (SOT-89), 2STR1160 (SOT-23), FMMTA05 (SOT-23), KST05 (SOT-23), MMBT6428 (SOT-23), MMBTA05 (SOT-23), PZTA05 (SOT-223) et SMBTA05 (SOT-23) est la version SMD du transistor KSD1616-L.

Transistor KSD1616-L en boîtier TO-92

Le 2SD1616-U est la version TO-92 du KSD1616-L.

Substituts et équivalents pour le transistor KSD1616-L

Vous pouvez remplacer le transistor KSD1616-L par 2SD1616, 2SD1616-U, 2SD1616A-U ou 2SD789.
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