Transistor bipolaire 2SD789

Caractéristiques électriques du transistor 2SD789

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 50 V
  • Tension collecteur-base maximum: 100 V
  • Tension émetteur-base maximum: 6 V
  • Courant collecteur continu maximum: 1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.9 W
  • Gain de courant (hfe): 100 à 800
  • Fréquence de transition minimum: 100 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92MOD

Brochage du 2SD789

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD789 peut avoir un gain en courant continu de 100 à 800. Le gain en courant continu du 2SD789-B est compris entre 100 à 200, celui du 2SD789-C entre 160 à 320, celui du 2SD789-D entre 250 à 500, celui du 2SD789-E entre 400 à 800.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD789 peut n'être marqué que D789.

Complémentaire du transistor 2SD789

Le transistor PNP complémentaire du 2SD789 est le 2SB740.
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