Transistor bipolaire BC850W

Caractéristiques électriques du transistor BC850W

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 45 V
  • Tension collecteur-base maximum: 50 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.2 W
  • Gain de courant (hfe): 110 à 800
  • Fréquence de transition minimum: 150 MHz
  • Figure de bruit maximum: 1.2 dB
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-323

Brochage du BC850W

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor BC850W peut avoir un gain en courant continu de 110 à 800. Le gain en courant continu du BC850AW est compris entre 110 à 220, celui du BC850BW entre 200 à 450, celui du BC850CW entre 420 à 800.

Complémentaire du transistor BC850W

Le transistor PNP complémentaire du BC850W est le BC860W.

Substituts et équivalents pour le transistor BC850W

Vous pouvez remplacer le transistor BC850W par BC846W ou BC847W.
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