Transistor bipolaire 2SD789-C

Caractéristiques électriques du transistor 2SD789-C

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 50 V
  • Tension collecteur-base maximum: 100 V
  • Tension émetteur-base maximum: 6 V
  • Courant collecteur continu maximum: 1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.9 W
  • Gain de courant (hfe): 160 à 320
  • Fréquence de transition minimum: 100 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92MOD

Brochage du 2SD789-C

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD789-C peut avoir un gain en courant continu de 160 à 320. Le gain en courant continu du 2SD789 est compris entre 100 à 800, celui du 2SD789-B entre 100 à 200, celui du 2SD789-D entre 250 à 500, celui du 2SD789-E entre 400 à 800.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD789-C peut n'être marqué que D789-C.

Complémentaire du transistor 2SD789-C

Le transistor PNP complémentaire du 2SD789-C est le 2SB740-C.

Version SMD du transistor 2SD789-C

Le 2SD1615A (SOT-89) est la version SMD du transistor 2SD789-C.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD789-C

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD789-C par 2SC1384, 2SC3940A, 2SC4408, 2SC4604, 2SD1207, 2SD1347, 2SD1616, 2SD1616A, 2SD1835, 2SD667, 2SD667D, 2SD863, 2SD863-F, KSD1616, KSD1616A, KTC1008, KTC1008-GR, KTD863, KTD863-GR ou NTE382.
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