Transistor bipolaire 2SD789-B

Caractéristiques électriques du transistor 2SD789-B

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 50 V
  • Tension collecteur-base maximum: 100 V
  • Tension émetteur-base maximum: 6 V
  • Courant collecteur continu maximum: 1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.9 W
  • Gain de courant (hfe): 100 à 200
  • Fréquence de transition minimum: 100 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92MOD

Brochage du 2SD789-B

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD789-B peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du 2SD789 est compris entre 100 à 800, celui du 2SD789-C entre 160 à 320, celui du 2SD789-D entre 250 à 500, celui du 2SD789-E entre 400 à 800.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD789-B peut n'être marqué que D789-B.

Complémentaire du transistor 2SD789-B

Le transistor PNP complémentaire du 2SD789-B est le 2SB740-B.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD789-B

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD789-B par 2SC1384, 2SC2655, 2SC3243, 2SC3328, 2SC3940A, 2SD1207, 2SD1207-R, 2SD1347, 2SD1347R, 2SD1835, 2SD1835-R, 2SD667, 2SD667A, 2SD667AC, 2SD667C, 2SD863, 2SD863-E, KTC1008, KTC1008-Y, KTC3209, KTD863 ou KTD863-Y.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com