Transistor bipolaire 2SD602A-Q

Caractéristiques électriques du transistor 2SD602A-Q

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 50 V
  • Tension collecteur-base maximum: 60 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.2 W
  • Gain de courant (hfe): 85 à 170
  • Fréquence de transition minimum: 200 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-23

Brochage du 2SD602A-Q

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD602A-Q peut avoir un gain en courant continu de 85 à 170. Le gain en courant continu du 2SD602A est compris entre 85 à 340, celui du 2SD602A-R entre 120 à 240, celui du 2SD602A-S entre 170 à 340.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD602A-Q peut n'être marqué que D602A-Q.

Complémentaire du transistor 2SD602A-Q

Le transistor PNP complémentaire du 2SD602A-Q est le 2SB710A-Q.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD602A-Q

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD602A-Q par 2SC3325, 2SC3912, 2SC3913, 2SC3914, 2SC3915, FMMTA05, FMMTA06, KST05 ou KST06.
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