Transistor bipolar 2SD602A-Q

Características del transistor 2SD602A-Q

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 50 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 0.5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.2 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 85 a 170
  • Frecuencia máxima de trabajo: 200 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: SOT-23

Diagrama de pines del 2SD602A-Q

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SD602A-Q puede tener una ganancia de corriente de 85 a 170. La ganancia del 2SD602A estará en el rango de 85 a 340, para el 2SD602A-R estará en el rango de 120 a 240, para el 2SD602A-S estará en el rango de 170 a 340.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SD602A-Q puede estar marcado sólo como "D602A-Q".

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del 2SD602A-Q es el 2SB710A-Q.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SD602A-Q

Puede sustituir el 2SD602A-Q por el 2SC3325, 2SC3912, 2SC3913, 2SC3914, 2SC3915, FMMTA05, FMMTA06, KST05 o KST06.
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