Transistor bipolaire 2SD1625

Caractéristiques électriques du transistor 2SD1625

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 50 V
  • Tension collecteur-base maximum: 80 V
  • Tension émetteur-base maximum: 10 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.7 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.5 W
  • Gain de courant (hfe): 3000
  • Fréquence de transition minimum: 170 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-89

Brochage du 2SD1625

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Marquage

Le transistor 2SD1625 est marqué "DH".

Complémentaire du transistor 2SD1625

Le transistor PNP complémentaire du 2SD1625 est le 2SB1125.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1625

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD1625 par 2SD1626.
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