Bipolartransistor 2SD1625

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1625

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 10 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.7 A
  • Verlustleistung, max: 0.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 3000
  • Übergangsfrequenz, min: 170 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-89

Pinbelegung des 2SD1625

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Der 2SD1625-Transistor ist als "DH" gekennzeichnet.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1625 ist der 2SB1125.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1625

Sie können den Transistor 2SD1625 durch einen 2SD1626 ersetzen.
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