Transistor bipolaire 2SD1622-R

Caractéristiques électriques du transistor 2SD1622-R

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 50 V
  • Tension collecteur-base maximum: 60 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.5 W
  • Gain de courant (hfe): 100 à 200
  • Fréquence de transition minimum: 150 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-89

Brochage du 2SD1622-R

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD1622-R peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du 2SD1622 est compris entre 100 à 560, celui du 2SD1622-S entre 140 à 280, celui du 2SD1622-T entre 200 à 400, celui du 2SD1622-U entre 280 à 560.

Marquage

Le transistor 2SD1622-R est marqué "DER".

Complémentaire du transistor 2SD1622-R

Le transistor PNP complémentaire du 2SD1622-R est le 2SB1122-R.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1622-R

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD1622-R par 2SC2873, 2SC3444, 2SD1623, 2SD1623-R, 2SD1624, 2SD1624-R, 2SD874A, BCX55, BCX55-16, BCX56, BCX56-16, BSR41, BSR43, KTC4378 ou KTC4378Y.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com