Transistor bipolaire 2SD1624-R

Caractéristiques électriques du transistor 2SD1624-R

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 50 V
  • Tension collecteur-base maximum: 60 V
  • Tension émetteur-base maximum: 6 V
  • Courant collecteur continu maximum: 3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.5 W
  • Gain de courant (hfe): 100 à 200
  • Fréquence de transition minimum: 150 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-89

Brochage du 2SD1624-R

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD1624-R peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du 2SD1624 est compris entre 100 à 560, celui du 2SD1624-S entre 140 à 280, celui du 2SD1624-T entre 200 à 400, celui du 2SD1624-U entre 280 à 560.

Marquage

Le transistor 2SD1624-R est marqué "DGR".

Complémentaire du transistor 2SD1624-R

Le transistor PNP complémentaire du 2SD1624-R est le 2SB1124-R.
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