Transistor bipolar MMBT5089

Características del transistor MMBT5089

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 25 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 30 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 3 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 0.05 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.35 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 400 a 1200
  • Frecuencia máxima de trabajo: 50 MHz
  • Figura de ruido máxima: 2 dB
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: SOT-23
  • These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant

Diagrama de pines del MMBT5089

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Marcado

El transistor MMBT5089 está marcado como "1R".

Sustitución y equivalentes para el transistor MMBT5089

Puede sustituir el MMBT5089 por el 2SC3912, 2SC3913, 2SC3914, 2SC3915, FMMT619 o MMBTH10.
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