Bipolartransistor MMBT5089

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 25 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 30 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 3 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.05 A
• Verlustleistung, max: 0.35 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 400 bis 1200
• Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
• Rauschzahl, max: 2 dB
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: SOT-23
• These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der MMBT5089-Transistor ist als "1R" gekennzeichnet.Sie können den Transistor MMBT5089 durch einen 2SC3912, 2SC3913, 2SC3914, 2SC3915, FMMT619 oder MMBTH10 ersetzen.