Bipolartransistor BD139-16

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD139-16

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
  • Verlustleistung, max: 12.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 250
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des BD139-16

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BD139-16 kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 250 haben. Die Gleichstromverstärkung des BD139 liegt im Bereich von 40 bis 250, die des BD139-10 im Bereich von 63 bis 160, die des BD139-6 im Bereich von 40 bis 100.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BD139-16 ist der BD140-16.

SMD-Version des Transistors BD139-16

Der BCP56 (SOT-223), BCP56-16 (SOT-223), BCX56 (SOT-89) und BCX56-16 (SOT-89) ist die SMD-Version des BD139-16-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD139-16

Sie können den Transistor BD139-16 durch einen 2SC2481, 2SC3117, 2SC3902, 2SD1684, 2SD1724, 2SD1725, 2SD669, BD139G, BD169, BD179, BD230, BD237, BD237G, BD379, BD379-16, BD789, BD791, KSE182, MJE182, MJE182G, MJE242, MJE244 oder MJE722 ersetzen.
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