Transistor bipolar 2N5671

Características del transistor 2N5671

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 90 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 120 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 7 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 30 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 140 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 20 a 100
  • Frecuencia máxima de trabajo: 40 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +200 °C
  • Encapsulado: TO-3

Diagrama de pines del 2N5671

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2N5671

Puede sustituir el 2N5671 por el 2N5672.
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