Transistor bipolaire KSD1616A-Y

Caractéristiques électriques du transistor KSD1616A-Y

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
  • Tension collecteur-base maximum: 120 V
  • Tension émetteur-base maximum: 6 V
  • Courant collecteur continu maximum: 1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.75 W
  • Gain de courant (hfe): 135 à 270
  • Fréquence de transition minimum: 160 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92
  • Electrically Similar to the Popular 2SD1616A-L transistor

Brochage du KSD1616A-Y

Le KSD1616A-Y est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KSD1616A-Y peut avoir un gain en courant continu de 135 à 270. Le gain en courant continu du KSD1616A est compris entre 135 à 400, celui du KSD1616A-G entre 200 à 400.

Complémentaire du transistor KSD1616A-Y

Le transistor PNP complémentaire du KSD1616A-Y est le KSB1116A-Y.

Version SMD du transistor KSD1616A-Y

Le 2SD1615A (SOT-89) et 2SD1615A-GQ (SOT-89) est la version SMD du transistor KSD1616A-Y.

Transistor KSD1616A-Y en boîtier TO-92

Le 2SD1616A-L est la version TO-92 du KSD1616A-Y.

Substituts et équivalents pour le transistor KSD1616A-Y

Vous pouvez remplacer le transistor KSD1616A-Y par 2SC3243, 2SD1616A, 2SD1616A-L, 2SD667 ou KTC1008.
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