Transistor bipolaire BDX35

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
• Tension collecteur-base maximum: 100 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 5 A
• Dissipation de puissance maximum: 15 W
• Gain de courant (h_fe): 45 à 450
• Fréquence de transition minimum: 100 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-126

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Vous pouvez remplacer le transistor BDX35 par BDX36 ou BDX37.