Transistor bipolaire BC858W

Caractéristiques électriques du transistor BC858W

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -30 V
  • Tension collecteur-base maximum: -30 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.2 W
  • Gain de courant (hfe): 110 à 800
  • Fréquence de transition minimum: 150 MHz
  • Figure de bruit maximum: 2 dB
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-323

Brochage du BC858W

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor BC858W peut avoir un gain en courant continu de 110 à 800. Le gain en courant continu du BC858AW est compris entre 110 à 220, celui du BC858BW entre 200 à 450, celui du BC858CW entre 420 à 800.

Complémentaire du transistor BC858W

Le transistor NPN complémentaire du BC858W est le BC848W.

Substituts et équivalents pour le transistor BC858W

Vous pouvez remplacer le transistor BC858W par BC857W, BC859W ou BC860W.
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