Transistor bipolar 2SD667B

Características del transistor 2SD667B

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 120 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 1 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.9 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 60 a 120
  • Frecuencia máxima de trabajo: 140 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-92MOD

Diagrama de pines del 2SD667B

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SD667B puede tener una ganancia de corriente de 60 a 120. La ganancia del 2SD667 estará en el rango de 60 a 320, para el 2SD667C estará en el rango de 100 a 200, para el 2SD667D estará en el rango de 160 a 320.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SD667B puede estar marcado sólo como "D667B".

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del 2SD667B es el 2SB647B.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SD667B

Puede sustituir el 2SD667B por el 2SC2383, 2SC2383R, 2SC3228, 2SC3228-R, 2SD667A, 2SD667AB, KSC2383, KSC2383R, KTC3228 o KTC3228R.
Si encuentra un error, envíe un correo electrónico a mail@el-component.com