Bipolartransistor PBHV8540Z

Elektrische Eigenschaften des Transistors PBHV8540Z

Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 400 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 500 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
Verlustleistung, max: 0.7 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 100
Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: SOT-223

Pinbelegung des PBHV8540Z

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Der PBHV8540Z-Transistor ist als "V8540Z" gekennzeichnet.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum PBHV8540Z ist der PBHV9040Z.

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