Bipolartransistor KTC1008-Y

Elektrische Eigenschaften des Transistors KTC1008-Y

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92
  • Electrically Similar to the Popular 2SC1008Y transistor

Pinbelegung des KTC1008-Y

Der KTC1008-Y wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KTC1008-Y kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTC1008 liegt im Bereich von 100 bis 320, die des KTC1008-GR im Bereich von 160 bis 320.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KTC1008-Y ist der KTA708-Y.

SMD-Version des Transistors KTC1008-Y

Der FMMT491 (SOT-23), FMMT491Q (SOT-23), KTC4378 (SOT-89) und KTC4378Y (SOT-89) ist die SMD-Version des KTC1008-Y-Transistors.

Transistor KTC1008-Y im TO-92-Gehäuse

Der 2SC1008Y ist die TO-92-Version des KTC1008-Y.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KTC1008-Y

Sie können den Transistor KTC1008-Y durch einen 2SC3243, 2SC3328, 2SD667, 2SD667A, 2SD667AC oder 2SD667C ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com