Bipolartransistor KSD1616-Y

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSD1616-Y

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
  • Verlustleistung, max: 0.75 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 135 bis 270
  • Übergangsfrequenz, min: 160 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92
  • Electrically Similar to the Popular 2SD1616-L transistor

Pinbelegung des KSD1616-Y

Der KSD1616-Y wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSD1616-Y kann eine Gleichstromverstärkung von 135 bis 270 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSD1616 liegt im Bereich von 135 bis 600, die des KSD1616-G im Bereich von 200 bis 400, die des KSD1616-L im Bereich von 300 bis 600.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KSD1616-Y ist der KSB1116-Y.

SMD-Version des Transistors KSD1616-Y

Der 2SC3444 (SOT-89), 2SD1615 (SOT-89), 2SD1615-GM (SOT-89), 2SD1622 (SOT-89), 2SD602A (SOT-23), 2SD874A (SOT-89), BCP55 (SOT-223), BCP55-16 (SOT-223), BCX55 (SOT-89), BCX55-16 (SOT-89), BSP41 (SOT-223), BSR41 (SOT-89), FMMTA05 (SOT-23), KST05 (SOT-23), MMBTA05 (SOT-23), PZTA05 (SOT-223) und SMBTA05 (SOT-23) ist die SMD-Version des KSD1616-Y-Transistors.

Transistor KSD1616-Y im TO-92-Gehäuse

Der 2SD1616-L ist die TO-92-Version des KSD1616-Y.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSD1616-Y

Sie können den Transistor KSD1616-Y durch einen 2SC1384, 2SC3243, 2SC3940A, 2SC4408, 2SC4604, 2SD1207, 2SD1347, 2SD1616, 2SD1616-L, 2SD1616A, 2SD1616A-L, 2SD1835, 2SD667, 2SD789, 2SD863, KSD1616A, KSD1616A-Y, KTC1008 oder KTD863 ersetzen.
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