Bipolartransistor BC877

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
• Verlustleistung, max: 0.8 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 2000
• Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der BC877 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre PNP-Transistor zum BC877 ist der BC878.Sie können den Transistor BC877 durch einen BC879 ersetzen.