Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD467-B
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 20 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 25 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.7 A
Verlustleistung, max: 0.5 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 85 bis 170
Übergangsfrequenz, min: 280 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2SD467-B
Der 2SD467-B wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SD467-B kann eine Gleichstromverstärkung von 85 bis 170 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD467 liegt im Bereich von 85 bis 240, die des 2SD467-C im Bereich von 120 bis 240.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD467-B-Transistor könnte nur mit "D467-B" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD467-B ist der 2SB561-B.
