Bipolartransistor 2SD1616-K

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1616-K

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
  • Verlustleistung, max: 0.75 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 160 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des 2SD1616-K

Der 2SD1616-K wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD1616-K kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1616 liegt im Bereich von 135 bis 600, die des 2SD1616-L im Bereich von 135 bis 270, die des 2SD1616-U im Bereich von 300 bis 600.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1616-K-Transistor könnte nur mit "D1616-K" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1616-K ist der 2SB1116-K.

SMD-Version des Transistors 2SD1616-K

Der 2SD1615 (SOT-89), 2SD1615-GL (SOT-89), 2SD1622 (SOT-89), 2SD1622-T (SOT-89), 2STR1160 (SOT-23), FMMTA05 (SOT-23), KST05 (SOT-23), MMBTA05 (SOT-23), PZTA05 (SOT-223) und SMBTA05 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SD1616-K-Transistors.

Transistor 2SD1616-K im TO-92-Gehäuse

Der KSD1616-G ist die TO-92-Version des 2SD1616-K.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1616-K

Sie können den Transistor 2SD1616-K durch einen 2SC4408, 2SC4604, 2SC6043, 2SD1207, 2SD1207-T, 2SD1347, 2SD1347T, 2SD1616A, 2SD1616A-K, 2SD1835, 2SD1835-T, 2SD789, KSD1616, KSD1616-G, KSD1616A oder KSD1616A-G ersetzen.
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