Transistor bipolaire KSD560

Caractéristiques électriques du transistor KSD560

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
  • Tension collecteur-base maximum: 150 V
  • Tension émetteur-base maximum: 7 V
  • Courant collecteur continu maximum: 5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 30 W
  • Gain de courant (hfe): 2000 à 15000
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du KSD560

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KSD560 peut avoir un gain en courant continu de 2000 à 15000. Le gain en courant continu du KSD560-O est compris entre 3000 à 7000, celui du KSD560-R entre 2000 à 5000, celui du KSD560-Y entre 5000 à 15000.

Complémentaire du transistor KSD560

Le transistor PNP complémentaire du KSD560 est le KSB601.

Substituts et équivalents pour le transistor KSD560

Vous pouvez remplacer le transistor KSD560 par 2N6045, 2N6045G, 2SD1195, 2SD1196, 2SD1415, 2SD1415A, 2SD1829, 2SD1830, 2SD560, 2SD633, 2SD772, 2SD772A, 2SD792, 2SD792A, BD243C, BD539C, BD539D, BD543C, BD545C, BD649, BD651, BD801, BD901, BD953, BD955, BDT63B, BDT63C, BDT65B, BDT65C, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDW23C, BDW42, BDW42G, BDW43, BDW63C, BDW63D, BDW73C, BDW73D, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, BDX53C, BDX53CG, BDX53D, BDX53E, BDX53F, KSB601, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF122, MJF122G, MJF15030, MJF15030G, TIP102, TIP102G, TIP122, TIP122G, TIP132, TIP132G, TIP142T, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E, TIP42F ou TTD1415B.
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