Transistor bipolaire BDW73B

Caractéristiques électriques du transistor BDW73B

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
  • Tension collecteur-base maximum: 80 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 8 A
  • Dissipation de puissance maximum: 80 W
  • Gain de courant (hfe): 750 à 20000
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du BDW73B

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor BDW73B

Le transistor PNP complémentaire du BDW73B est le BDW74B.

Substituts et équivalents pour le transistor BDW73B

Vous pouvez remplacer le transistor BDW73B par BD537, BD543B, BD543C, BD545B, BD545C, BD647, BD649, BD651, BD799, BD801, BD809, BD899, BD899A, BD901, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDW73C, BDW73D, BDX33B, BDX33BG, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, BDX53B, BDX53BG, BDX53C, BDX53CG, BDX53D, BDX53E, BDX53F, BDX77, D44H11, D44H11FP, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030 ou MJF15030G.
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