Transistor bipolaire BDW41G

Caractéristiques électriques du transistor BDW41G

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
  • Tension collecteur-base maximum: 80 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 15 A
  • Dissipation de puissance maximum: 85 W
  • Gain de courant (hfe): 1000
  • Fréquence de transition minimum: 4 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220
  • Le BDW41G est la version sans plomb du transistor BDW41

Brochage du BDW41G

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Equivalent circuit

BDW41G equivalent circuit

Complémentaire du transistor BDW41G

Le transistor PNP complémentaire du BDW41G est le BDW46G.

Substituts et équivalents pour le transistor BDW41G

Vous pouvez remplacer le transistor BDW41G par BDW41, BDW42, BDW42G, BDW43, MJF6388 ou MJF6388G.
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