Transistor bipolaire BDW23B

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
• Tension collecteur-base maximum: 80 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 6 A
• Dissipation de puissance maximum: 50 W
• Gain de courant (h_fe): 750 à 20000
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du BDW23B est le BDW24B.Vous pouvez remplacer le transistor BDW23B par 2SC1986, 2SC2316, 2SD823, BD243B, BD243C, BD537, BD543B, BD543C, BD545B, BD545C, BD647, BD649, BD651, BD799, BD801, BD809, BD899, BD899A, BD901, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDW23C, BDW63B, BDW63C, BDW63D, BDW73B, BDW73C, BDW73D, BDX33B, BDX33BG, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, BDX53B, BDX53BG, BDX53C, BDX53CG, BDX53D, BDX53E, BDX53F, BDX77, D44H11, D44H11FP, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030, MJF15030G, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E ou TIP42F.