Transistor bipolaire BDT82

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
• Tension collecteur-base maximum: -60 V
• Tension émetteur-base maximum: -7 V
• Courant collecteur continu maximum: -15 A
• Dissipation de puissance maximum: 125 W
• Gain de courant (h_fe): 40
• Fréquence de transition minimum: 20 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du BDT82 est le BDT81.Vous pouvez remplacer le transistor BDT82 par 2SA1744, 2SA1744-K, 2SA1744-L, 2SA1744-M, BD546A, BD546B, BD546C, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW45, BDW46, BDW46G, BDW47, BDW47G, BDW48, MJF6668 ou MJF6668G.