Transistor bipolaire BDT63

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
• Tension collecteur-base maximum: 60 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 10 A
• Dissipation de puissance maximum: 90 W
• Gain de courant (h_fe): 1000
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du BDT63 est le BDT62.Vous pouvez remplacer le transistor BDT63 par 2N6387, 2N6387G, 2N6388, 2N6388G, 2SD1192, 2SD1827, BDT63A, BDT63B, BDT63C, BDT65, BDT65A, BDT65B, BDT65C, BDW40, BDW41, BDW41G, BDW42, BDW42G, BDW43, MJF6388, MJF6388G, TIP140T, TIP141T ou TIP142T.