Transistor bipolaire BDT62

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
• Tension collecteur-base maximum: -60 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -10 A
• Dissipation de puissance maximum: 90 W
• Gain de courant (h_fe): 1000
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du BDT62 est le BDT63.Vous pouvez remplacer le transistor BDT62 par 2N6667, 2N6667G, 2N6668, 2N6668G, 2SB1225, 2SB882, BDT62A, BDT62B, BDT62C, BDT64, BDT64A, BDT64B, BDT64C, BDW45, BDW46, BDW46G, BDW47, BDW47G, BDW48, MJF6668, MJF6668G, TIP145T, TIP146T ou TIP147T.