Transistor bipolaire BDT60
Caractéristiques électriques du transistor BDT60
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
- Tension collecteur-base maximum: -60 V
- Tension émetteur-base maximum: -5 V
- Courant collecteur continu maximum: -4 A
- Dissipation de puissance maximum: 50 W
- Gain de courant (hfe): 750
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
- Boîtier: TO-220
Brochage du BDT60
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Complémentaire du transistor BDT60
Le transistor
NPN complémentaire du BDT60 est le
BDT61.
Substituts et équivalents pour le transistor BDT60
Vous pouvez remplacer le transistor BDT60 par
2N6040,
2N6040G,
2N6041,
2N6041G,
2N6042,
2N6042G,
2N6667,
2N6667G,
2N6668,
2N6668G,
2SA1259,
2SB1020,
2SB1020A,
2SB1024,
2SB1223,
2SB1224,
2SB1225,
2SB1227,
2SB1228,
2SB1251,
2SB1251-P,
2SB1251-Q,
2SB1252,
2SB1252-P,
2SB1252-Q,
2SB1481,
2SB1626,
2SB1626-O,
2SB1626-P,
2SB1626-Y,
2SB601,
2SB601-K,
2SB601-L,
2SB601-M,
2SB673,
2SB674,
2SB675,
2SB751,
2SB751-P,
2SB751-Q,
2SB751-R,
2SB751A,
2SB751A-P,
2SB751A-Q,
2SB751A-R,
2SB880,
2SB881,
2SB882,
2SB885,
2SB886,
2SB950,
2SB950-P,
2SB950-Q,
2SB950A,
2SB950A-P,
2SB950A-Q,
2SB951,
2SB951-P,
2SB951-Q,
2SB951A,
2SB951A-P,
2SB951A-Q,
BD646,
BD648,
BD650,
BD652,
BD898,
BD898A,
BD900,
BD900A,
BD902,
BDT60A,
BDT60B,
BDT60C,
BDT62,
BDT62A,
BDT62B,
BDT62C,
BDT64,
BDT64A,
BDT64B,
BDT64C,
BDW24A,
BDW24B,
BDW24C,
BDW45,
BDW46,
BDW46G,
BDW47,
BDW47G,
BDW48,
BDW54A,
BDW54B,
BDW54C,
BDW54D,
BDW64A,
BDW64B,
BDW64C,
BDW64D,
BDW74A,
BDW74B,
BDW74C,
BDW74D,
BDW94A,
BDW94B,
BDW94C,
BDW94CF,
BDX34A,
BDX34B,
BDX34BG,
BDX34C,
BDX34CG,
BDX34D,
BDX54A,
BDX54B,
BDX54BG,
BDX54C,
BDX54CG,
MJE700T,
MJE701T,
MJE702T,
MJE703T,
MJF127,
MJF127G,
MJF6668,
MJF6668G,
TIP105,
TIP105G,
TIP106,
TIP106G,
TIP107,
TIP107G,
TIP125,
TIP125G,
TIP126,
TIP126G,
TIP127,
TIP127G,
TIP135,
TIP135G,
TIP136,
TIP136G,
TIP137,
TIP137G,
TIP145T,
TIP146T,
TIP147T ou
TTB1020B.
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