Transistor bipolaire BD809

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
• Tension collecteur-base maximum: 80 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 10 A
• Dissipation de puissance maximum: 90 W
• Gain de courant (h_fe): 30
• Fréquence de transition minimum: 2 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du BD809 est le BD810.Vous pouvez remplacer le transistor BD809 par 2N6388, 2N6388G, 2SC2527, 2SC3346, 2SC3346-O, 2SC3346-Y, 2SC3710, 2SC3710-O, 2SC3710-Y, 2SC3710A, 2SC3710A-O, 2SC3710A-Y, BD545B, BD545C, BDT63A, BDT63B, BDT63C, BDT65A, BDT65B, BDT65C, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDW41, BDW41G, BDW42, BDW42G, BDW43, BDW93B, BDW93C, BDW93CF, BDX33B, BDX33BG, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, D44H11, D44H11FP, MJF6388, MJF6388G, TIP141T, TIP142T ou TTC3710B.